一颗存储芯片的容量和位数是有限的。在内存或者固态硬盘上，我们常常能看到很多存储颗粒被组合使用，这就是存储器的扩充。存储器扩充可以在存储颗粒工艺有限的情况下，制造大容量的存储设备。存储器扩充有以下三种形式。
字长位数扩展（位扩展）
给定的芯片字长位数较短，不满足设计要求的存储器字长，此时需要用多片给定芯片扩展字长位数。三组信号线中，地址线和控制线公用而数据线单独分开连接。
比如，我们可以利用16K×4位的SRAM芯片，设计一个存储容量为16K×8位的SRAM存储器。
第一步，要计算出为了达到扩充目的，所需的芯片数d，（d=设计要求的存储器容量/选择芯片存储器容量）。因此，在这个问题中，$d = \frac{16K\times 8}{16K\times 4} = 2片$
第二步，计算所需的地址总线和数据总线的位宽。在这个问题中，要扩容出16K×8的存储器，$16K = 2^{14}$，所以地址总线是0~13，总共14位。而数据总线就是16K×8中的那个8，因此是0~7，共8位。
- 第三步就是可以开始画图了。首先，先把所需的两个存储器芯片给画出来；然后，画出地址总线和数据总线；最后，连接控制控制总线，片选信号CS接地，RW信号连接到外部的RW信号即可。要注意的是，这里的扩充相当于一颗芯片存高四位，另一颗存低四位，数据总线的连接要标清楚。
字存储容量扩展 （字扩展）
给定的芯片存储容量较小（字数少），不满足设计要求的总存储容量，此时需要用多片给定芯片来扩展字数。三组信号组中给定芯片的地址总线和数据总线公用，控制总线中R/W公用，使能端EN不能公用，它由地址总线的高位段译码来决定片选信号。所需芯片数仍由（d=设计要求的存储器容量/选择芯片存储器容量）决定。
比如利用16K×8位的DRAM芯片，设计64K×8位的DRAM存储器。
- $d = \frac{64K\times 8}{16K\times 8} = 4片$。
- $A = log_264K=16 \ \ \ \ D = 8$
- 画图时，连接地址总线时需要注意，$A_{0}-A_{13}$之间总共是直接连在各个芯片上(控制16K种信号)，剩余的$n$路先经过一个$n:2^n$(其中$2^n$必然等于k)译码器分贝连接到各个芯片的片选信号上，这里$n=2$，是2:4译码器。如果只多一路的话，无需使用2:4译码器，用一个非门即可。
字位扩展
实际存储器往往需要字向和位向同时扩充。一个存储器的容量为M×N位，若使用L×K位存储器芯片，那么，这个存储器共需要M/L×N/K个存储器芯片。字位扩展就是把上述两种情况结合起来。
比如使用1K×4的芯片，扩展到4K×8。
这里不重复计算前两步了，直接重点说明画图。纵向的叠加，是位扩展，横向为字扩展。其实可以看作是先进行位扩展，然后把这两颗芯片封装起来，再用四颗封装好的芯片进行字扩展。所以可以看到地址总线和片选信号会连接到每一颗芯片上。WE取反后连接到WR。
